數(shù)據(jù)列表 | IRFHM792TR(2)PbF |
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設(shè)計(jì)資源 | IRFHM792TR2PBF Saber Model IRFHM792TR2PBF Spice Model |
標(biāo)準(zhǔn)包裝 | 1 |
類別 | 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
家庭 | FET - 陣列 |
系列 | HEXFET® |
包裝 | 剪切帶 (CT) |
FET 類型 | 2 個(gè) N 溝道(雙) |
FET 功能 | 標(biāo)準(zhǔn) |
漏源極電壓 (Vdss) | 100V |
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時(shí)) | 2.3A |
不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值) | 195 毫歐 @ 2.9A,10V |
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 10µA |
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg) | 6.3nC @ 10V |
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss) | 251pF @ 25V |
功率 - 最大值 | 2.3W |
安裝類型 | 表面貼裝 |
封裝/外殼 | 8-PowerVDFN |
供應(yīng)商器件封裝 | 8-PQFN(3.3X3.3),Power33 |
其它名稱 | IRFHM792TR2PBFCT |