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聲明：圖片僅供參考，請(qǐng)以實(shí)物為準(zhǔn)！

產(chǎn)品信息

	典型關(guān)斷延遲時(shí)間	12（晶體管 1）ns，28（晶體管 2）ns
	典型接通延遲時(shí)間	12（晶體管 1）ns，22（晶體管 2）ns
	典型柵極電荷@Vgs	34 nC @ 4.5 V（晶體管 2），8.3 nC @ 4.5 V（晶體管 1）
	典型輸入電容值@Vds	1060 pF @ 15 V（晶體管 1），4450 pF @ 15 V（晶體管 2）
	安裝類型	表面貼裝
	寬度	5mm
	封裝類型	PQFN EP
	尺寸	6 x 5 x 0.95mm
	引腳數(shù)目	18
	最低工作溫度	-55 °C
	最大功率耗散	2.4（晶體管 1） W
	最大柵源電壓	±20 V
	最大漏源電壓	30 V
	最大漏源電阻值	0.003（晶體管 2）Ω，0.009（晶體管 1）Ω
	最大連續(xù)漏極電流	13（晶體管 1）A，28（晶體管 2）A
	最高工作溫度	+150 °C
	每片芯片元件數(shù)目	2
	類別	功率 MOSFET
	通道模式	增強(qiáng)
	通道類型	N
	配置	雙
	長(zhǎng)度	6mm
	高度	0.95mm

手機(jī)網(wǎng)站相關(guān)詳細(xì)信息：IRFH7911TR2PB
旗下站點(diǎn)www.szcwdz.cn相關(guān)詳細(xì)信息: IRFH7911TR2PB
旗下站點(diǎn)lnwkt.cn.cn相關(guān)詳細(xì)信息: 暫無(wú)相關(guān)型號(hào)

詢價(jià)

業(yè)務(wù)受理時(shí)間：周一至周五（上午9:00～下午18:00），下午17:00之前的訂單當(dāng)日發(fā)貨，17:00之后的訂單次日發(fā)貨（周日、節(jié)假日順延），推薦合作貨運(yùn)物流：順豐快遞�？爝f費(fèi)用：23元。

• *所需產(chǎn)品：
• 型號(hào): IRFH7911TR2PB 品牌: International Rectifier 備注: MOSFET，N溝道，30V，13A/28A，HEXFET，PQFN18EP

• *聯(lián)系人：

• *聯(lián)系電話：

• *電子郵箱：

• 備注內(nèi)容：

  

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