數(shù)據(jù)列表 | IRFH7110PbF |
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標(biāo)準(zhǔn)包裝 | 1 |
類別 | 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
家庭 | FET - 單 |
系列 | HEXFET® |
包裝 | 剪切帶 (CT) |
FET 類型 | MOSFET N 通道,金屬氧化物 |
FET 功能 | 邏輯電平門 |
漏源極電壓 (Vdss) | 100V |
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時(shí)) | 11A (Ta), 58A (Tc) |
不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值) | 13.5 毫歐 @ 35A,10V |
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 100µA |
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg) | 87nC @ 10V |
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss) | 3240pF @ 25V |
功率 - 最大值 | 3.6W |
安裝類型 | 表面貼裝 |
封裝/外殼 | 8-TQFN 裸露焊盤 |
供應(yīng)商器件封裝 | 8-PQFN(5x6) |
其它名稱 | IRFH7110TR2PBFCT |