數(shù)據(jù)列表 | IRFH5302PBF |
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產(chǎn)品相片 | IRFH3707TR2PBF |
設(shè)計資源 | IRFH5302TR2PBF Saber Model IRFH5302TR2PBF Spice Model |
標(biāo)準(zhǔn)包裝 | 400 |
類別 | 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
家庭 | FET - 單 |
系列 | HEXFET® |
包裝 | 帶卷 (TR) |
FET 類型 | MOSFET N 通道,金屬氧化物 |
FET 功能 | 邏輯電平門 |
漏源極電壓 (Vdss) | 30V |
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時) | 32A (Ta), 100A (Tc) |
不同?Id、Vgs 時的?Rds On(最大值) | 2.1 毫歐 @ 50A,10V |
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) | 2.35V @ 100µA |
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg) | 76nC @ 10V |
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss) | 4400pF @ 15V |
功率 - 最大值 | 3.6W |
安裝類型 | 表面貼裝 |
封裝/外殼 | 8-PowerVDFN |
供應(yīng)商器件封裝 | PQFN(5x6)單芯片焊盤 |
產(chǎn)品目錄頁面 | 1524 (CN2011-ZH PDF) |
其它名稱 | IRFH5302TR2PBFTR |