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IRFH5106TR2PBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET MOSFT 60V Gen 10.7 4.98mOhm 56.2nC Qg RoHS: Compliant | 搜索 |
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IRFH5106TR2PBF [更多] | Infineon Technologies AG | IRFH5106TR2PBF N-channel MOSFET Transistor, 100 A, 60 V, 8-Pin PQFN RoHS: Compliant | 搜索 查看资料 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRFH5106TR2PBF [更多] | International Rectifier | 21 A, 60 V, 0.0056 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
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| 制造商零件编号: IRFH5106TR2PBF 品牌: Infineon 库存编号: 715-7787 | 查看其他仓库 |
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![]() | Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 100A 5X6 PQFN 详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 21A(Ta),100A(Tc) 3.6W(Ta),114W(Tc) PQFN(5x6) 型号:IRFH5106TR2PBF 仓库库存编号:IRFH5106TR2PBFCT-ND 别名:IRFH5106TR2PBFCT | 无铅 | 搜索 |
數(shù)據(jù)列表 | IRFH5106PBF |
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產(chǎn)品相片 | IRFH5250TR2PBF |
產(chǎn)品培訓(xùn)模塊 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) |
設(shè)計資源 | IRFH5106TR2PBF Saber Model IRFH5106TR2PBF Spice Model |
特色產(chǎn)品 | Mid-Voltage Power MOSFETs |
標(biāo)準(zhǔn)包裝 | 1 |
類別 | 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
家庭 | FET - 單 |
系列 | HEXFET® |
包裝 | 剪切帶 (CT) |
FET 類型 | MOSFET N 通道,金屬氧化物 |
FET 功能 | 邏輯電平門 |
漏源極電壓 (Vdss) | 60V |
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時) | 21A (Ta), 100A (Tc) |
不同?Id、Vgs 時的?Rds On(最大值) | 5.6 毫歐 @ 50A,10V |
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg) | 75nC @ 10V |
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss) | 3090pF @ 25V |
功率 - 最大值 | 3.6W |
安裝類型 | 表面貼裝 |
封裝/外殼 | 8-PowerVQFN |
供應(yīng)商器件封裝 | PQFN(5x6) |
其它名稱 | IRFH5106TR2PBFCT |