數(shù)據(jù)列表 | IRFH5053 |
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產(chǎn)品相片 | IRFH3707TR2PBF |
產(chǎn)品培訓(xùn)模塊 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) |
標(biāo)準(zhǔn)包裝 | 4,000 |
類別 | 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
家庭 | FET - 單 |
系列 | HEXFET® |
包裝 | 帶卷 (TR) |
FET 類型 | MOSFET N 通道,金屬氧化物 |
FET 功能 | 標(biāo)準(zhǔn) |
漏源極電壓 (Vdss) | 100V |
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時) | 9.3A (Ta), 46A (Tc) |
不同?Id、Vgs 時的?Rds On(最大值) | 18 毫歐 @ 9.3A,10V |
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) | 4.9V @ 100µA |
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg) | 36nC @ 10V |
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss) | 1510pF @ 50V |
功率 - 最大值 | 3.1W |
安裝類型 | 表面貼裝 |
封裝/外殼 | 8-PowerVDFN |
供應(yīng)商器件封裝 | PQFN(5x6)單芯片焊盤 |
產(chǎn)品目錄頁面 | 1524 (CN2011-ZH PDF) |
其它名稱 | IRFH5053TRPBFTR |