IRFD9020,IRFD9020|VISHAY SILICONIX代理分銷-IRFD9020原裝現(xiàn)貨,PDF下載
PDF查詢| 數(shù)據(jù)列表 | IRFD9020 |
|---|---|
| 產(chǎn)品相片 | IRFD9010PBF |
| 產(chǎn)品目錄繪圖 | IR(F,L)D Series Side 1 IR(F,L)D Series Side 2 |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝 | 2,500 |
| 類別 | 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
| 家庭 | FET - 單 |
| 系列 | - |
| 包裝 | 管件 |
| FET 類型 | MOSFET P 通道，金屬氧化物 |
| FET 功能 | 標(biāo)準(zhǔn) |
| 漏源極電壓 (Vdss) | 60V |
| 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)） | 1.6A （Ta） |
| 不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值） | 280 毫歐 @ 960mA，10V |
| 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 1µA |
| 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg) | 19nC @ 10V |
| 不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss) | 570pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 1.3W |
| 安裝類型 | 通孔 |
| 封裝/外殼 | 4-DIP（0.300"，7.62mm） |
| 供應(yīng)商器件封裝 | 4-DIP，Hexdip，HVMDIP |
| 其它名稱 | *IRFD9020 |
