數(shù)據(jù)列表 | IRFBA90N20DPbF |
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產(chǎn)品相片 | TO-274AC Pkg |
產(chǎn)品培訓(xùn)模塊 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) |
設(shè)計資源 | IRFBA90N20DPBF Saber Model IRFBA90N20DPBF Spice Model |
標(biāo)準包裝 | 50 |
類別 | 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
家庭 | FET - 單 |
系列 | HEXFET® |
包裝 | 管件 |
FET 類型 | MOSFET N 通道,金屬氧化物 |
FET 功能 | 標(biāo)準 |
漏源極電壓 (Vdss) | 200V |
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時) | 98A (Tc) |
不同?Id、Vgs 時的?Rds On(最大值) | 23 毫歐 @ 59A,10V |
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg) | 240nC @ 10V |
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss) | 6080pF @ 25V |
功率 - 最大值 | 650W |
安裝類型 | 通孔 |
封裝/外殼 | Super-220?-3(直引線) |
供應(yīng)商器件封裝 | SUPER-220?(TO-273AA) |
產(chǎn)品目錄頁面 | 1520 (CN2011-ZH PDF) |
其它名稱 | *IRFBA90N20DPBF |