型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRFB9N60APBF [更多] | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 9.2A TO-220AB RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRFB9N60APBF [更多] | Vishay Intertechnologies | MOSFET N-Chan 600V 9.2 Amp RoHS: Compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRFB9N60APBF [更多] | Vishay Intertechnologies | Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB RoHS: Compliant | pbFree: No | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRFB9N60APBF [更多] | Vishay Intertechnologies | Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB (Alt: IRFB9N60APBF) RoHS: Compliant | 搜索 |
IRFB9N60APBF [更多] | Vishay Intertechnologies | Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB - Bulk (Alt: IRFB9N60APBF) RoHS: Not Compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRFB9N60APBF [更多] | Vishay Intertechnologies | Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB RoHS: Compliant | 搜索 |
IRFB9N60APBF [更多] | Vishay Intertechnologies | Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB RoHS: Compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRFB9N60APBF [更多] | Vishay Intertechnologies | MOSFET, N, 600V, 9.2A, TO-220
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型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRFB9N60APBF [更多] | Vishay Intertechnologies | Single N-Channel 500 V 0.75 Ohms Flange Mount Power Mosfet - TO-220AB RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRFB9N60APBF [更多] | Vishay Intertechnologies | MOSFET, Power, N-Ch, VDSS 600V, RDS(ON) 0.75Ohm, ID 9.2A, TO-220AB, PD 170W, VGS +/-30V RoHS: Compliant | 搜索 查看资料 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRFB9N60APBF [更多] | Vishay Intertechnologies | MOSFET N-Chan 600V 9.2 Amp RoHS: Compliant | pbFree: Pb-Free | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRFB9N60APBF [更多] | Vishay Intertechnologies | Transistor: N-MOSFET, unipolar, 600V, 5.8A, 170W, TO220AB
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型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 参考单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
查看库存、价格及货期 |
典型關(guān)斷延遲時(shí)間 | 30 ns | |
典型接通延遲時(shí)間 | 13 ns | |
典型柵極電荷@Vgs | 49 nC V @ 10 | |
典型輸入電容值@Vds | 1400 pF V @ 25 | |
安裝類型 | 通孔 | |
寬度 | 4.7mm | |
封裝類型 | TO-220AB | |
尺寸 | 10.41 x 4.7 x 9.01mm | |
引腳數(shù)目 | 3 | |
最低工作溫度 | -55 °C | |
最大功率耗散 | 170 W | |
最大柵源電壓 | ±30 V | |
最大漏源電壓 | 600 V | |
最大漏源電阻值 | 0.75 Ω | |
最大連續(xù)漏極電流 | 9.2 A | |
最高工作溫度 | +150 °C | |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 | |
類別 | 功率 MOSFET | |
通道模式 | 增強(qiáng) | |
通道類型 | N | |
配置 | 單 | |
長度 | 10.41mm | |
高度 | 9.01mm |