IRFB5620PB,IRFB5620PB|International Rectifier代理分銷-IRFB5620PB原裝現(xiàn)貨,PDF下載
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| IRFB5620PBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET N-CH 200V 25A TO-220AB RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
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| IRFB5620PBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET Audio MOSFT 200V 25A 72.5mOhm 25nC RoHS: Compliant | 搜索 |
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| IRFB5620PBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH Si 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 |
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| IRFB5620PBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB - Rail/Tube (Alt: IRFB5620PBF) RoHS: Compliant | 搜索 |
| IRFB5620PBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB (Alt: IRFB5620PBF) RoHS: Compliant | 搜索 |
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| IRFB5620PBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH Si 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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| IRFB5620PBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET, CLASS D, 200V, TO220AB
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| IRFB5620PBF [更多] | Infineon Technologies AG | Single N-Channel 200 V 72.5 mOhm 25 nC HEXFET? Power Mosfet - TO-220-3 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 |
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| IRFB5620PBF [更多] | Infineon Technologies AG | IRFB5620PBF N-channel MOSFET Transistor, 25 A, 200 V, 3-Pin TO-220AB RoHS: Compliant | 搜索 查看资料 |
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PDF查詢| 典型關(guān)斷延遲時間 | 17.1 ns | |
| 典型接通延遲時間 | 8.6 ns | |
| 典型柵極電荷@Vgs | 25 nC V @ 10 | |
| 典型輸入電容值@Vds | 1710 pF V @ 50 | |
| 安裝類型 | 通孔 | |
| 寬度 | 4.83mm | |
| 封裝類型 | TO-220AB | |
| 尺寸 | 10.67 x 4.83 x 9.02mm | |
| 引腳數(shù)目 | 3 | |
| 最低工作溫度 | -55 °C | |
| 最大功率耗散 | 14000 mW | |
| 最大柵源電壓 | ±20 V | |
| 最大漏源電壓 | 200 V | |
| 最大漏源電阻值 | 0.073 Ω | |
| 最大連續(xù)漏極電流 | 25 A | |
| 最高工作溫度 | +175 °C | |
| 每片芯片元件數(shù)目 | 1 | |
| 類別 | 功率 MOSFET | |
| 通道模式 | 增強 | |
| 通道類型 | N | |
| 配置 | 單 | |
| 長度 | 10.67mm | |
| 高度 | 9.02mm |
