型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRFB41N15DPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET N-CH 150V 41A TO-220AB RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRFB41N15DPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET 150V 1 N-CH HEXFET 45mOhms 72nC RoHS: Compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRFB41N15DPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 150V 41A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube RoHS: Compliant | 搜索 |
IRFB41N15DPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 150V 41A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRFB41N15DPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 150V 41A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB (Alt: IRFB41N15DPBF) RoHS: Compliant | 搜索 |
IRFB41N15DPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 150V 41A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB - Rail/Tube (Alt: IRFB41N15DPBF) RoHS: Compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRFB41N15DPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 150V 41A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube RoHS: Compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRFB41N15DPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET, N, 150V, 41A, TO-220
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型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRFB41N15DPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Single N-Channel 150 V 0.045 Ohm 72 nC HEXFET? Power Mosfet - TO-220-3 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 |
IRFB41N15DPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Single N-Channel 150 V 0.045 Ohm 72 nC HEXFET? Power Mosfet - TO-220-3 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRFB41N15DPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET, Power, N-Ch, VDSS 150V, RDS(ON) 0.045Ohm, ID 41A, TO-220AB, PD 200W, VGS +/-30V RoHS: Compliant | 搜索 查看资料 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRFB41N15DPBF [更多] | International Rectifier | MOSFET Operating temperature: -55...+175 °C Housing type: TO-220AB Polarity: N Power dissipation: 200 W
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型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRFB41N15DPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Transistor: N-MOSFET, unipolar, 150V, 41A, 200W, TO220AB, HEXFET?
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型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 参考单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
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數(shù)據(jù)列表 | IRF(I)B41N15D, IRFS(L)41N15D |
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產(chǎn)品相片 | TO-220-3, TO-220AB |
標準包裝 | 50 |
類別 | 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
家庭 | FET - 單 |
系列 | HEXFET® |
包裝 | 管件 |
FET 類型 | MOSFET N 通道,金屬氧化物 |
FET 功能 | 標準 |
漏源極電壓 (Vdss) | 150V |
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時) | 41A (Tc) |
不同?Id、Vgs 時的?Rds On(最大值) | 45 毫歐 @ 25A,10V |
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) | 5.5V @ 250µA |
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg) | 110nC @ 10V |
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss) | 2520pF @ 25V |
功率 - 最大值 | 200W |
安裝類型 | 通孔 |
封裝/外殼 | TO-220-3 |
供應(yīng)商器件封裝 | TO-220AB |
其它名稱 | *IRFB41N15D |