IRFB4137PBF,IRFB4137PBF|International Rectifier代理分銷-IRFB4137PBF原裝現(xiàn)貨,PDF下載
PDF查詢| 數(shù)據(jù)列表 | IRFB4137PbF |
|---|---|
| 產(chǎn)品培訓(xùn)模塊 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) |
| 特色產(chǎn)品 | 300 V Power MOSFETs |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝 | 50 |
| 類別 | 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
| 家庭 | FET - 單 |
| 系列 | HEXFET® |
| 包裝 | 管件 |
| FET 類型 | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 功能 | 標(biāo)準(zhǔn) |
| 漏源極電壓 (Vdss) | 300V |
| 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時） | 38A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值） | 69 毫歐 @ 24A，10V |
| 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg) | 125nC @ 10V |
| 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss) | 5168pF @ 50V |
| 功率 - 最大值 | 341W |
| 安裝類型 | 通孔 |
| 封裝/外殼 | TO-220-3 |
| 供應(yīng)商器件封裝 | TO-220 |
