數(shù)據(jù)列表 | IRF9Z24NSPbF(NLPBF) |
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產(chǎn)品相片 | TO-263 |
產(chǎn)品培訓(xùn)模塊 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) |
標(biāo)準(zhǔn)包裝 | 50 |
類(lèi)別 | 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
家庭 | FET - 單 |
系列 | HEXFET® |
包裝 | 管件 |
FET 類(lèi)型 | MOSFET P 通道,金屬氧化物 |
FET 功能 | 標(biāo)準(zhǔn) |
漏源極電壓 (Vdss) | 55V |
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時(shí)) | 12A (Tc) |
不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值) | 175 毫歐 @ 7.2A,10V |
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg) | 19nC @ 10V |
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss) | 350pF @ 25V |
功率 - 最大值 | 3.8W |
安裝類(lèi)型 | 表面貼裝 |
封裝/外殼 | TO-263-3,D²Pak(2 引線(xiàn)+接片),TO-263AB |
供應(yīng)商器件封裝 | D2PAK |