IRF8707GTRPBF,IRF8707GTRPBF|International Rectifier代理分銷-IRF8707GTRPBF原裝現(xiàn)貨,PDF下載
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| IRF8707GTRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
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| IRF8707GTRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET MOSFT 30V 11A 11.9mOhm 6.2nC RoHS: Compliant | 搜索 |
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 | Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC 详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO 型号：IRF8707GTRPBF 仓库库存编号：IRF8707GTRPBFCT-ND 别名：IRF8707GTRPBFCT | 无铅 | 搜索 |
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IRF8707GTRPBF | 2579998 | INFINEON 晶体管, MOSFET, N沟道, 11 A, 30 V, 0.0093 ohm, 10 V, 1.8 V  (EN) | 搜索 |
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| 制造商零件编号： IRF8707GTRPBF 品牌： Infineon 库存编号： 865-5774 | 查看其他仓库 |
PDF查詢| 數(shù)據(jù)列表 | IRF8707GPbF |
|---|---|
| 產(chǎn)品相片 | 8-SOIC |
| 產(chǎn)品培訓(xùn)模塊 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝 | 4,000 |
| 類別 | 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
| 家庭 | FET - 單 |
| 系列 | HEXFET® |
| 包裝 | 帶卷 (TR) |
| FET 類型 | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 功能 | 邏輯電平門 |
| 漏源極電壓 (Vdss) | 30V |
| 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)） | 11A （Ta） |
| 不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值） | 11.9 毫歐 @ 11A，10V |
| 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值） | 2.35V @ 25µA |
| 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg) | 9.3nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss) | 760pF @ 15V |
| 功率 - 最大值 | 2.5W |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） |
| 供應(yīng)商器件封裝 | 8-SO |
| 產(chǎn)品目錄頁面 | 1523 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名稱 | IRF8707GTRPBFTR |
