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聲明：圖片僅供參考，請以實物為準(zhǔn)！

產(chǎn)品信息

	典型關(guān)斷延遲時間	10（晶體管 1）ns，15（晶體管 2）ns
	典型接通延遲時間	6.9（晶體管 1）ns，7.8（晶體管 2）ns
	典型柵極電荷@Vgs	14 nC @ 4.5 V（晶體管 2）， 7.5 nC @ 4.5 V（晶體管 1）
	典型輸入電容值@Vds	1780 pF @ 15 V（晶體管 2），910 pF @ 15 V（晶體管 1）
	安裝類型	表面貼裝
	寬度	4mm
	封裝類型	SOIC
	尺寸	5 x 4 x 1.5mm
	引腳數(shù)目	8
	最低工作溫度	-55 °C
	最大功率耗散	1.4（晶體管 1） W
	最大柵源電壓	±20 V
	最大漏源電壓	30 V
	最大漏源電阻值	0.011（晶體管 2）Ω，0.016（晶體管 1）Ω
	最大連續(xù)漏極電流	11（晶體管 2）A，7.6（晶體管 1）A
	最高工作溫度	+150 °C
	每片芯片元件數(shù)目	2
	類別	功率 MOSFET
	通道模式	增強(qiáng)
	通道類型	N
	配置	雙
	長度	5mm
	高度	1.5mm

手機(jī)網(wǎng)站相關(guān)詳細(xì)信息：IRF7904PB
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詢價

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• *所需產(chǎn)品：
• 型號: IRF7904PB 品牌: International Rectifier 備注: MOSFET，雙，N溝道，30V，7.6A/11A，SOIC8

• *聯(lián)系人：

• *聯(lián)系電話：

• *電子郵箱：

• 備注內(nèi)容：

  

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