型号 | 制造商 | 描述 | 实时库存 | 起订量 | 实时单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
IRF7853PBF | International Rectifier | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,100V V(BR)DSS,8.3A I(D),SO | 10 1起订 | 1+ 4+ 10+ | ¥211.21 ¥154.89 ¥140.81 | 1-3周 | 购买 |
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IRF7853PBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-SOIC RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRF7853PBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-Pin SOIC T/R RoHS: Compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRF7853PBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-Pin SOIC - Rail/Tube (Alt: IRF7853PBF) RoHS: Compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRF7853PBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-Pin SOIC T/R RoHS: Compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRF7853PBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET, Power, N-Ch, VDSS 100V, RDS(ON) 14.4 Milliohms, ID 8.3A, SO-8, PD 2.5W, gFS 11S RoHS: Compliant | 搜索 查看资料 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRF7853PBF [更多] | International Rectifier |
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型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRF7853PBF [更多] | International Rectifier | MOSFET Operating temperature: -55...+150 °C Housing type: SO-8 Polarity: N Power dissipation: 2.5 W
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型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRF7853PBF [更多] | Infineon Technologies AG | Transistor: N-MOSFET, unipolar, 100V, 8.3A, 2.5W, SO8, HEXFET?
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型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRF7853PBF [更多] | TT Electronics Resistors | MOSFET Transistor, N-Channel, SO
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IRF7853PBF [更多] | International Rectifier | MOSFET Transistor, N-Channel, SO
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型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 参考单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
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典型關(guān)斷延遲時(shí)間 | 26 ns | |
典型接通延遲時(shí)間 | 13 ns | |
典型柵極電荷@Vgs | 28 nC V @ 10 | |
典型輸入電容值@Vds | 1640 pF V @ 25 | |
安裝類型 | 表面貼裝 | |
寬度 | 4mm | |
封裝類型 | SOIC | |
尺寸 | 5 x 4 x 1.5mm | |
引腳數(shù)目 | 8 | |
最低工作溫度 | -55 °C | |
最大功率耗散 | 2500 mW | |
最大柵源電壓 | ±20 V | |
最大漏源電壓 | 100 V | |
最大漏源電阻值 | 0.018 Ω | |
最大連續(xù)漏極電流 | 8.3 A | |
最高工作溫度 | +150 °C | |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 | |
類別 | 功率 MOSFET | |
通道模式 | 增強(qiáng) | |
通道類型 | N | |
配置 | 四漏極、單、三源 | |
長(zhǎng)度 | 5mm | |
高度 | 1.5mm |