數(shù)據(jù)列表 | IRF7807D2PbF |
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產(chǎn)品相片 | 8-SOIC |
產(chǎn)品培訓(xùn)模塊 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) |
標(biāo)準(zhǔn)包裝 | 4,000 |
類別 | 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
家庭 | FET - 單 |
系列 | FETKY™ |
包裝 | 帶卷 (TR) |
FET 類型 | MOSFET N 通道,金屬氧化物 |
FET 功能 | 二極管(隔離式) |
漏源極電壓 (Vdss) | 30V |
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時(shí)) | 8.3A (Ta) |
不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值) | 25 毫歐 @ 7A,4.5V |
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA |
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg) | 17nC @ 5V |
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss) | - |
功率 - 最大值 | 2.5W |
安裝類型 | 表面貼裝 |
封裝/外殼 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) |
供應(yīng)商器件封裝 | 8-SO |
產(chǎn)品目錄頁(yè)面 | 1524 (CN2011-ZH PDF) |
其它名稱 | IRF7807D2PBFTR IRF7807D2TRPBF-ND IRF7807D2TRPBFTR-ND |