型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRF7805TRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
IRF7805TRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
IRF7805PBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
IRF7805TRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRF7805PBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 11mOhms 22nC RoHS: Compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRF7805PBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC Tube RoHS: Compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRF7805PBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC (Alt: IRF7805PBF) RoHS: Compliant | 搜索 |
IRF7805PBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC - Rail/Tube (Alt: IRF7805PBF) RoHS: Compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRF7805PBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC Tube RoHS: Compliant | 搜索 |
IRF7805PBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC Tube RoHS: Compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRF7805PBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC Tube RoHS: Compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRF7805PBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET, N, LOGIC, SO-8
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型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRF7805PBF [更多] | Infineon Technologies AG | Single N-Channel 30 V 11 mOhm 22 nC HEXFET? Power Mosfet - SOIC-8 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRF7805PBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET, Power, N-Ch, VDSS 30V, RDS(ON) 9.2Milliohms, ID 13A, SO-8, PD 2.5W, VGS +/-12V RoHS: Compliant | 搜索 查看资料 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRF7805PBF [更多] | International Rectifier |
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型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRF7805PBF [更多] | International Rectifier | MOSFET Operating temperature: -55...+150 °C Housing type: SO-8 Polarity: N Power dissipation: 2.5 W
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型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRF7805PBF [更多] | Infineon Technologies AG | Transistor: N-MOSFET, unipolar, 30V, 13A, 2.5W, SO8, HEXFET?
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型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRF7805PBF [更多] | International Rectifier | 13 A, 30 V, 0.011 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MS-012AA
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型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 参考单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
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數(shù)據(jù)列表 | IRF7805PbF |
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產(chǎn)品相片 | 8-SOIC |
產(chǎn)品培訓(xùn)模塊 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) |
設(shè)計資源 | IRF7805TRPBF Saber Model IRF7805TRPBF Spice Model |
標(biāo)準(zhǔn)包裝 | 95 |
類別 | 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
家庭 | FET - 單 |
系列 | HEXFET® |
包裝 | 管件 |
FET 類型 | MOSFET N 通道,金屬氧化物 |
FET 功能 | 標(biāo)準(zhǔn) |
漏源極電壓 (Vdss) | 30V |
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時) | 13A (Ta) |
不同?Id、Vgs 時的?Rds On(最大值) | 11 毫歐 @ 7A,4.5V |
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg) | 31nC @ 5V |
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss) | - |
功率 - 最大值 | 2.5W |
安裝類型 | 表面貼裝 |
封裝/外殼 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) |
供應(yīng)商器件封裝 | 8-SO |