數(shù)據(jù)列表 | IRF7737L2TR(1)PbF |
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產品培訓模塊 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) |
標準包裝 | 4,000 |
類別 | 分立半導體產品 |
家庭 | FET - 單 |
系列 | - |
包裝 | 帶卷 (TR) |
FET 類型 | MOSFET N 通道,金屬氧化物 |
FET 功能 | 標準 |
漏源極電壓 (Vdss) | 40V |
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時) | 31A (Ta), 156A (Tc) |
不同?Id、Vgs 時的?Rds On(最大值) | 1.9 毫歐 @ 94A,10V |
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 150µA |
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg) | 134nC @ 10V |
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss) | 5469pF @ 25V |
功率 - 最大值 | 3.3W |
安裝類型 | 表面貼裝 |
封裝/外殼 | DirectFET? 等距 L6 |
供應商器件封裝 | DIRECTFET L6 |
其它名稱 | IRF7737L2TRPBFTR |