型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRF7607TRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET N-CH 20V 6.5A MICRO8 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
IRF7607TRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET N-CH 20V 6.5A MICRO8 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
IRF7607TRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET N-CH 20V 6.5A MICRO8 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRF7607TRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET MOSFT 20V 6.5A 30mOhm 22nC Micro 8 RoHS: Compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRF7607TRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH Si 20V 6.5A 8-Pin Micro T/R RoHS: Compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRF7607TRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 20V 6.5A 8-Pin Micro T/R - Tape and Reel (Alt: IRF7607TRPBF) RoHS: Compliant | 搜索 |
IRF7607TRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 20V 6.5A 8-Pin Micro T/R (Alt: IRF7607TRPBF) RoHS: Compliant | 搜索 |
IRF7607TRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 20V 6.5A 8-Pin Micro T/R (Alt: IRF7607TRPBF) RoHS: Compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRF7607TRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH Si 20V 6.5A 8-Pin Micro T/R RoHS: Compliant | 搜索 |
IRF7607TRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH Si 20V 6.5A 8-Pin Micro T/R RoHS: Compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRF7607TRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET, N-CH, 20V, 6.5A, USOIC-8
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型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRF7607TRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Single N-Channel 20 V 30 mOhm 22 nC HEXFET? Power Mosfet - MICRO-8 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 |
IRF7607TRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Single N-Channel 20 V 30 mOhm 22 nC HEXFET? Power Mosfet - MICRO-8 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRF7607TRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET, Power, N-Ch, VDSS 20V, RDS(ON) 0.03Ohm, ID 6.5A, Micro8, PD 1.8W, VGS +/-12V RoHS: Compliant | 搜索 查看资料 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRF7607TRPBF [更多] | International Rectifier |
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型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 参考单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
查看库存、价格及货期 |
典型關(guān)斷延遲時(shí)間 | 36 ns | |
典型接通延遲時(shí)間 | 8.5 ns | |
典型柵極電荷@Vgs | 15 nC V @ 5 | |
典型輸入電容值@Vds | 1310 pF V @ 15 | |
安裝類型 | 表面貼裝 | |
寬度 | 3mm | |
封裝類型 | Micro8 | |
尺寸 | 3 x 3 x 0.86mm | |
引腳數(shù)目 | 8 | |
最低工作溫度 | -55 °C | |
最大功率耗散 | 1800 mW | |
最大柵源電壓 | ±12 V | |
最大漏源電壓 | 20 V | |
最大漏源電阻值 | 0.03 Ω | |
最大連續(xù)漏極電流 | 6.5 A | |
最高工作溫度 | +150 °C | |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 | |
類別 | 功率 MOSFET | |
通道模式 | 增強(qiáng) | |
通道類型 | N | |
配置 | 四漏極、單、三源 | |
長(zhǎng)度 | 3mm | |
高度 | 0.86mm |