數據列表 | IRF7530PbF |
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產品相片 | 8-MSOP |
產品培訓模塊 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) |
標準包裝 | 4,000 |
類別 | 分立半導體產品 |
家庭 | FET - 陣列 |
系列 | HEXFET® |
包裝 | 帶卷 (TR) |
FET 類型 | 2 個 N 溝道(雙) |
FET 功能 | 標準 |
漏源極電壓 (Vdss) | 20V |
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時) | 5.4A |
不同?Id、Vgs 時的?Rds On(最大值) | 30 毫歐 @ 5.4A,4.5V |
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) | 1.2V @ 250µA |
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg) | 26nC @ 4.5V |
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss) | 1310pF @ 15V |
功率 - 最大值 | 1.3W |
安裝類型 | 表面貼裝 |
封裝/外殼 | 8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 寬) |
供應商器件封裝 | Micro8? |
產品目錄頁面 | 1523 (CN2011-ZH PDF) |
其它名稱 | IRF7530TRPBF-ND IRF7530TRPBFTR |