典型關(guān)斷延遲時(shí)間 | 19 ns | |
典型接通延遲時(shí)間 | 9.7 ns | |
典型柵極電荷@Vgs | 7.5 常閉 V @ 10 | |
典型輸入電容值@Vds | 180 pF V @ 25 | |
安裝類型 | 表面貼裝 | |
寬度 | 3mm | |
封裝類型 | Micro8 | |
尺寸 | 3 x 3 x 0.86mm | |
引腳數(shù)目 | 8 | |
最低工作溫度 | -55 °C | |
最大功率耗散 | 1.25 W | |
最大柵源電壓 | ±20 V | |
最大漏源電壓 | 30 V | |
最大漏源電阻值 | 0.27 Ω | |
最大連續(xù)漏極電流 | 1.7 A | |
最高工作溫度 | +150 °C | |
每片芯片元件數(shù)目 | 2 | |
類別 | 功率 MOSFET | |
通道模式 | 增強(qiáng) | |
通道類型 | P | |
配置 | 雙、雙漏極 | |
長(zhǎng)度 | 3mm | |
高度 | 0.86mm |