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場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET N SO-8
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晶體管極性:
N溝道
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電流, Id 連續(xù):
6.9A
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漏源電壓, Vds:
100V
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在電阻RDS（上）:
26mohm
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電壓 @ Rds測(cè)量:
10V
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閾值電壓, Vgs th 典型值:
5.5V
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功耗, Pd:
2.5W
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工作溫度最小值:
-55°C
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工作溫度最高值:
150°C
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封裝類型:
SOIC
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針腳數(shù):
8
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SVHC(高度關(guān)注物質(zhì)):
No SVHC (19-Dec-2012)
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SMD??號(hào):
F7473
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功耗, Pd:
2.5W
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功耗, Pd:
2.5W
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外寬:
4.05mm
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外部長(zhǎng)度/高度:
1.75mm
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封裝/箱盒:
SOIC
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工作溫度范圍:
-55°C 至 +150°C
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排距:
6.3mm
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漏極電流, Id 最大值:
6.9A
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電壓 Vgs @ Rds on 測(cè)量:
10V
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電壓, Vds 典型值:
100V
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電壓, Vgs 最高:
20V
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電流, Idm 脈沖:
55A
產(chǎn)地：
US
United States
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