數據列表 | IRF7452QPbF |
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產品相片 | 8-SOIC |
標準包裝 | 1 |
類別 | 分立半導體產品 |
家庭 | FET - 單 |
系列 | HEXFET® |
包裝 | 剪切帶 (CT) |
FET 類型 | MOSFET N 通道,金屬氧化物 |
FET 功能 | 標準 |
漏源極電壓 (Vdss) | 100V |
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時) | 4.5A (Ta) |
不同?Id、Vgs 時的?Rds On(最大值) | 60 毫歐 @ 2.7A,10V |
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) | 5.5V @ 250µA |
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg) | 50nC @ 10V |
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss) | 930pF @ 25V |
功率 - 最大值 | 2.5W |
安裝類型 | 表面貼裝 |
封裝/外殼 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) |
供應商器件封裝 | 8-SO |
產品目錄頁面 | 1523 (CN2011-ZH PDF) |
其它名稱 | IRF7452QTRPBFCT |