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場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET P SO-8
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晶體管極性:
P溝道
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電流, Id 連續(xù):
8.7A
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漏源電壓, Vds:
12V
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在電阻RDS（上）:
24mohm
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電壓 @ Rds測(cè)量:
-4.5V
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閾值電壓, Vgs th 典型值:
-900mV
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功耗, Pd:
2.5W
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工作溫度最小值:
-55°C
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工作溫度最高值:
150°C
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封裝類型:
SOIC
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針腳數(shù):
8
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SVHC(高度關(guān)注物質(zhì)):
No SVHC (19-Dec-2012)
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SMD標(biāo)號(hào):
F7433
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功耗, Pd:
2.5W
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功耗, Pd:
2.5W
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外寬:
4.05mm
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外部深度:
5.2mm
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外部長度/高度:
1.75mm
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封裝/箱盒:
SOIC
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工作溫度范圍:
-55°C 至 +150°C
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溫度 @ 電流測(cè)量:
25°C
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滿功率溫度:
25°C
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漏極電流, Id 最大值:
-8.9A
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電壓 Vgs @ Rds on 測(cè)量:
-4.5V
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電壓, Vds 典型值:
-12V
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電壓, Vgs 最高:
-8V
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電流, Idm 脈沖:
36A
產(chǎn)地：
US
United States
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IRF7433.PBF
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