型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRF7416PBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET P-CH 30V 10A 8-SOIC RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRF7416PBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET 1 P-CH -30V HEXFET 20mOhms 61nC RoHS: Compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRF7416PBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET P-CH 30V 10A 8-Pin SOIC Tube RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRF7416PBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET P-CH 30V 10A 8-Pin SOIC T/R - Rail/Tube (Alt: IRF7416PBF) RoHS: Compliant | 搜索 |
IRF7416PBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET P-CH 30V 10A 8-Pin SOIC T/R (Alt: IRF7416PBF) RoHS: Compliant | 搜索 |
IRF7416PBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET P-CH 30V 10A 8-Pin SOIC T/R (Alt: IRF7416PBF) RoHS: Compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRF7416PBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET P-CH 30V 10A 8-Pin SOIC Tube RoHS: Compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRF7416PBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET P-CH 30V 10A 8-Pin SOIC Tube
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型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRF7416PBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET, P, -30V, -10A, SO-8
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型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRF7416PBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET, Power, P-Ch, VDSS -30V, RDS(ON) 0.02Ohm, ID -10A, SO-8, PD 2.5W, VGS +/-20V, -55 RoHS: Compliant | 搜索 查看资料 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRF7416PBF [更多] | International Rectifier | MOSFET Operating temperature: -55...+150 °C Housing type: SO-8 Polarity: P Power dissipation: 2.5 W
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型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRF7416PBF [更多] | Infineon Technologies AG | Transistor: P-MOSFET, unipolar, -30V, -10A, 2.5W, SO8, HEXFET?
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型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRF7416PBF [更多] | International Rectifier | MOSFET Transistor, P-Channel, SO
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型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 参考单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
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數(shù)據(jù)列表 | IRF7416PbF |
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產(chǎn)品相片 | 8-SOIC |
產(chǎn)品培訓(xùn)模塊 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) |
設(shè)計(jì)資源 | IRF7416PBF Saber Model IRF7416PBF Spice Model |
標(biāo)準(zhǔn)包裝 | 95 |
類(lèi)別 | 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
家庭 | FET - 單 |
系列 | HEXFET® |
包裝 | 管件 |
FET 類(lèi)型 | MOSFET P 通道,金屬氧化物 |
FET 功能 | 邏輯電平門(mén) |
漏源極電壓 (Vdss) | 30V |
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時(shí)) | 10A (Ta) |
不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值) | 20 毫歐 @ 5.6A,10V |
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA |
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg) | 92nC @ 10V |
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss) | 1700pF @ 25V |
功率 - 最大值 | 2.5W |
安裝類(lèi)型 | 表面貼裝 |
封裝/外殼 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) |
供應(yīng)商器件封裝 | 8-SO |
產(chǎn)品目錄頁(yè)面 | 1521 (CN2011-ZH PDF) |