數(shù)據(jù)列表 | IRF7321D2 |
---|---|
產(chǎn)品相片 | 8-SOIC |
標(biāo)準(zhǔn)包裝 | 95 |
類別 | 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
家庭 | FET - 單 |
系列 | FETKY™ |
包裝 | 管件 |
FET 類型 | MOSFET P 通道,金屬氧化物 |
FET 功能 | 二極管(隔離式) |
漏源極電壓 (Vdss) | 30V |
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時) | 4.7A (Ta) |
不同?Id、Vgs 時的?Rds On(最大值) | 62 毫歐 @ 4.9A,10V |
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA |
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg) | 34nC @ 10V |
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss) | 710pF @ 25V |
功率 - 最大值 | 2W |
安裝類型 | 表面貼裝 |
封裝/外殼 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) |
供應(yīng)商器件封裝 | 8-SO |
其它名稱 | *IRF7321D2 |