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IRF7309PBF,IRF7309PBF|International Rectifier代理分銷-IRF7309PBF原裝現(xiàn)貨,PDF下載
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
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IRF7309TRPBF
库存编号:IRF7309PBFDKR-ND
Infineon Technologies AG MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SO11762
1起订
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10+
100+
500+
1000+
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IRF7309TRPBF
库存编号:IRF7309PBFCT-ND
Infineon Technologies AG MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SO11762
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10+
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IRF7309TRPBF
库存编号:IRF7309PBFTR-ND
Infineon Technologies AG MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SO8000
4000起订
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IRF7309PBF
库存编号:IRF7309PBF-ND
Infineon Technologies AG MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SO0
4000起订
6-10天询价 询价
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  英国8号仓库    仓库直销,订单金额100元起订,满300元含运,满500元含税运,有单就有优惠,量大更优惠,支持原厂订货
型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
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IRF7309PBF International Rectifier POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4A I(D), 30V, 0.05OHM, 2-ELEMENT, N-CHANNEL AND P-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, MS-012AA60
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1起订
1+
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¥10.25
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参考价格及参考库存
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型号 制造商 描述 操作
IRF7309TRPBF
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Infineon Technologies AG

MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SOIC

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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IRF7309TRPBF
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Infineon Technologies AG

MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SOIC

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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IRF7309PBF
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Infineon Technologies AG

MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SOIC

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IRF7309TRPBF
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Infineon Technologies AG

MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SOIC

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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IRF7309PBF
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Infineon Technologies AG

MOSFET 30V DUAL N / P CH 20V VGS MAX

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IRF7309PBF
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Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC Tube

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IRF7309PBF
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Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC - Rail/Tube (Alt: IRF7309PBF)

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IRF7309PBF
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Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC (Alt: IRF7309PBF)

RoHS: Compliant

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IRF7309PBF
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Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC Tube

RoHS: Compliant

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Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC Tube

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IRF7309PBF
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Infineon Technologies AG

IRF7309PBF Dual N/P-channel MOSFET Transistor, 3 A, 4 A, 30 V, 8-Pin SOIC

RoHS: Compliant

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IRF7309PBF
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Infineon Technologies AG  

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IRF7309PBF
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International Rectifier  

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IRF7309PBF
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International Rectifier

Power FET Operating temperature: -55...+150 °C Housing type: SOIC-8 Polarity: N/P Variants: Enhancement mode Power dissipation: 1.4 W

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IRF7309PBF
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Infineon Technologies AG

Transistor: N/P-MOSFET, unipolar, 30/-30V, 4/-3A, 1.4W, SO8

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IRF7309PBF
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International Rectifier

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4A I(D), 30V, 0.05OHM, 2-ELEMENT, N-CHANNEL AND P-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, MS-012AA

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IRF7309PBF|International Rectifier
聲明:圖片僅供參考,請以實(shí)物為準(zhǔn)!
IRF7309PBF
制造商型號: IRF7309PBF
制造商: International Rectifier
描述: MOSFET N+P 30V 3A 8-SOIC
技術(shù)參考: Rohs PDF查詢
庫存狀態(tài): 實(shí)時庫存查詢  所在地:深圳原厂原裝現(xiàn)貨
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訂購熱線: 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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產(chǎn)品信息
數(shù)據(jù)列表 IRF7309PbF
產(chǎn)品相片 8-SOIC
產(chǎn)品培訓(xùn)模塊 High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
標(biāo)準(zhǔn)包裝  95
類別分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭FET - 陣列
系列HEXFET®
包裝  管件  
FET 類型N 和 P 溝道
FET 功能標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓 (Vdss)30V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時)4A,3A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On(最大值)50 毫歐 @ 2.4A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)1V @ 250µA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)25nC @ 4.5V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)520pF @ 15V
功率 - 最大值1.4W
安裝類型表面貼裝
封裝/外殼8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應(yīng)商器件封裝8-SO

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  • *所需產(chǎn)品:
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