型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRF7233PBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET 1 P-CH -12V HEXFET 20mOhms 49nC RoHS: Compliant | 搜索 |
IRF7233TRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET MOSFT PCh -12V -9.5A 20mOhm 49nC RoHS: Compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRF7233PBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET, P-CHANNEL, -12V, -9.5A, 20 MOHM, 49 NC QG, SO-8 RoHS: Compliant | 搜索 查看资料 |
IRF7233TRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET, P-CHANNEL, -12V, -9.5A, 20 MOHM, 49 NC QG, SO-8 RoHS: Compliant | 搜索 查看资料 |
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IRF7233PBF [更多] | International Rectifier |
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![]() | Infineon Technologies MOSFET P-CH 12V 9.5A 8-SOIC 详细描述:表面贴装 P 沟道 12V 9.5A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO 型号:IRF7233 仓库库存编号:IRF7233-ND 别名:*IRF7233 | 含铅 | 搜索 |
![]() | Infineon Technologies MOSFET P-CH 12V 9.5A 8-SOIC 详细描述:表面贴装 P 沟道 12V 9.5A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO 型号:IRF7233TR 仓库库存编号:IRF7233TR-ND | 含铅 | 搜索 |
數(shù)據(jù)列表 | IRF7233 |
---|---|
產(chǎn)品相片 | 8-SOIC |
設計資源 | IRF7233 Saber Model IRF7233 Spice Model |
標準包裝 | 95 |
類別 | 分立半導體產(chǎn)品 |
家庭 | FET - 單 |
系列 | HEXFET® |
包裝 | 管件 |
FET 類型 | MOSFET P 通道,金屬氧化物 |
FET 功能 | 邏輯電平門 |
漏源極電壓 (Vdss) | 12V |
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時) | 9.5A (Ta) |
不同?Id、Vgs 時的?Rds On(最大值) | 20 毫歐 @ 9.5A,4.5V |
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) | 600mV @ 250µA |
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg) | 74nC @ 5V |
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss) | 6000pF @ 10V |
功率 - 最大值 | 2.5W |
安裝類型 | 表面貼裝 |
封裝/外殼 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) |
供應商器件封裝 | 8-SO |
其它名稱 | *IRF7233 |