數(shù)據(jù)列表 | IRF7210PbF |
---|---|
產(chǎn)品相片 | 8-SOIC |
PCN Obsolescence | Multiple Devices 14/Dec/2012 |
標(biāo)準(zhǔn)包裝 | 4,000 |
類(lèi)別 | 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
家庭 | FET - 單 |
系列 | HEXFET® |
包裝 | 帶卷 (TR) |
FET 類(lèi)型 | MOSFET P 通道,金屬氧化物 |
FET 功能 | 邏輯電平門(mén) |
漏源極電壓 (Vdss) | 12V |
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時(shí)) | 16A (Ta) |
不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值) | 7 毫歐 @ 16A,4.5V |
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值) | 600mV @ 500µA |
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg) | 212nC @ 5V |
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss) | 17179pF @ 10V |
功率 - 最大值 | 2.5W |
安裝類(lèi)型 | 表面貼裝 |
封裝/外殼 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) |
供應(yīng)商器件封裝 | 8-SO |
其它名稱(chēng) | IRF7210TRPBF-ND IRF7210TRPBFTR |