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聲明：圖片僅供參考，請(qǐng)以實(shí)物為準(zhǔn)！

產(chǎn)品信息

• 雙MOSFET NP SO-8
• 晶體管極性: N溝道
• 電流, Id 連續(xù): 3.5A
• 漏源電壓, Vds: 25V
• 在電阻RDS（上）: 83mohm
• 電壓 @ Rds測(cè)量: 10V
• 閾值電壓, Vgs th 典型值: 3V
• 功耗, Pd: 2W
• 工作溫度最小值: -55°C
• 工作溫度最高值: 150°C
• 封裝類型: SOIC
• 針腳數(shù): 8
• SVHC(高度關(guān)注物質(zhì)): No SVHC (19-Dec-2012)
• 功耗, Pd: 2W
• 功耗, Pd: 2W
• 封裝/箱盒: SOIC
• 工作溫度范圍: -55°C 至 +150°C
• 模塊配置: 雙
• 漏極電流, Id 最大值: 3.5A
• 漏極連續(xù)電流, Id N溝道 2: 3.5A
• 漏極連續(xù)電流, Id P溝道: 2.3A
• 漏源電壓 Vds, N溝道: 25V
• 漏源電壓 Vds, P溝道: -25V
• 電壓 Vgs @ Rds on 測(cè)量: 10V
• 電壓, Vds: 25V
• 電壓, Vds 典型值: 25V
• 電壓, Vgs 最高: 3V
• 脈沖電流, Idm N溝道(1): 21A
• 脈沖電流, Idm P溝道: 17A
• 表面安裝器件: SMD
• 連續(xù)漏極電流 Id, N溝道: 3.5A
• 連續(xù)漏極電流 Id, P溝道: -2.3A
• 通態(tài)電阻 Rds(on), N溝道: 0.14ohm
• 通態(tài)電阻 Rds(on), P溝道: 0.3ohm
• 通態(tài)電阻, N溝道 最大: 100mohm
• 通態(tài)電阻, P溝道 最大: 250mohm

產(chǎn)地： MY Malaysia

手機(jī)網(wǎng)站相關(guān)詳細(xì)信息：IRF7105QPBF
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詢價(jià)

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• *所需產(chǎn)品：
• 型號(hào): IRF7105QPBF 品牌: INTERNATIONAL RECTIFIER 備注: 雙MOSFET NP SO-8

• *聯(lián)系人：

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• *電子郵箱：

• 備注內(nèi)容：

  

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