型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 参考单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
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數(shù)據(jù)列表 | IRF6893MTR(1)PBF |
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產(chǎn)品培訓(xùn)模塊 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) |
設(shè)計(jì)資源 | IRF6893MTR1PBF Saber Model IRF6893MTR1PBF Spice Model |
標(biāo)準(zhǔn)包裝 | 1,000 |
類別 | 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
家庭 | FET - 單 |
系列 | - |
包裝 | 帶卷 (TR) |
FET 類型 | MOSFET N 通道,金屬氧化物 |
FET 功能 | 邏輯電平門 |
漏源極電壓 (Vdss) | 25V |
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時(shí)) | 29A (Ta), 168A (Tc) |
不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值) | 1.6 毫歐 @ 29A, 10V |
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值) | 2.1V @ 100µA |
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg) | 38nC @ 4.5V |
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss) | 3480pF @ 13V |
功率 - 最大值 | 2.1W |
安裝類型 | 表面貼裝 |
封裝/外殼 | DirectFET? 等容 MX |
供應(yīng)商器件封裝 | DIRECTFET? MX |