數(shù)據(jù)列表 | IRF6798M(TR)PbF |
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產(chǎn)品相片 | IRF6794MTR1PBF |
產(chǎn)品培訓模塊 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) |
設計資源 | IRF6798MTR1PBF Saber Model IRF6798MTR1PBF Spice Model |
標準包裝 | 4,800 |
類別 | 分立半導體產(chǎn)品 |
家庭 | FET - 單 |
系列 | HEXFET® |
包裝 | 帶卷 (TR) |
FET 類型 | MOSFET N 通道,肖特基,金屬氧化物! |
FET 功能 | 邏輯電平門 |
漏源極電壓 (Vdss) | 25V |
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時) | 37A (Ta), 197A (Tc) |
不同?Id、Vgs 時的?Rds On(最大值) | 1.3 毫歐 @ 37A,10V |
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) | 2.35V @ 150µA |
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg) | 75nC @ 4.5V |
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss) | 6560pF @ 13V |
功率 - 最大值 | 2.8W |
安裝類型 | 表面貼裝 |
封裝/外殼 | DirectFET? 等容 MX |
供應商器件封裝 | DIRECTFET? MX |