數(shù)據(jù)列表 | IRF6775MTRPBF |
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產(chǎn)品相片 | IRF6614TR1PBF |
產(chǎn)品培訓(xùn)模塊 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) |
設(shè)計資源 | IRF6775MTR1PBF Saber Model IRF6775MTR1PBF Spice Model |
標(biāo)準(zhǔn)包裝 | 4,800 |
類別 | 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
家庭 | FET - 單 |
系列 | HEXFET® |
包裝 | 帶卷 (TR) |
FET 類型 | MOSFET N 通道,金屬氧化物 |
FET 功能 | 標(biāo)準(zhǔn) |
漏源極電壓 (Vdss) | 150V |
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時) | 4.9A (Ta), 28A (Tc) |
不同?Id、Vgs 時的?Rds On(最大值) | 56 毫歐 @ 5.6A,10V |
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) | 5V @ 100µA |
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg) | 36nC @ 10V |
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss) | 1411pF @ 25V |
功率 - 最大值 | 2.8W |
安裝類型 | 表面貼裝 |
封裝/外殼 | DirectFET? 等容 MZ |
供應(yīng)商器件封裝 | DIRECTFET? MZ |