IRF6727MTR1PBF,IRF6727MTR1PBF|International Rectifier代理分銷-IRF6727MTR1PBF原裝現貨,PDF下載
PDF查詢| 數據列表 | IRF6727M(TR)PBF |
|---|---|
| 產品相片 | IRF6794MTR1PBF |
| 產品培訓模塊 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) |
| 產品目錄繪圖 | IR Hexfet Circuit |
| 設計資源 | IRF6727MTR1PBF Saber Model IRF6727MTR1PBF Spice Model |
| 標準包裝 | 1,000 |
| 類別 | 分立半導體產品 |
| 家庭 | FET - 單 |
| 系列 | HEXFET® |
| 包裝 | 帶卷 (TR) |
| FET 類型 | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 功能 | 邏輯電平門 |
| 漏源極電壓 (Vdss) | 30V |
| 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時） | 32A （Ta）， 180A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值） | 1.7 毫歐 @ 32A，10V |
| 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值） | 2.35V @ 100µA |
| 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg) | 74nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss) | 6190pF @ 15V |
| 功率 - 最大值 | 2.8W |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼 | DirectFET? 等容 MX |
| 供應商器件封裝 | DIRECTFET? MX |
| 產品目錄頁面 | 1525 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名稱 | IRF6727MTR1PBFTR |
