典型關(guān)斷延遲時(shí)間 | 9.3 ns | |
典型接通延遲時(shí)間 | 7.8 ns | |
典型柵極電荷@Vgs | 11 nC V @ 4.5 | |
典型輸入電容值@Vds | 1430 pF V @ 15 | |
安裝類型 | 表面貼裝 | |
寬度 | 3.95mm | |
封裝類型 | DirectFET SQ | |
尺寸 | 4.85 x 3.95 x 0.62mm | |
引腳數(shù)目 | 6 | |
最低工作溫度 | -40 °C | |
最大功率耗散 | 2200 mW | |
最大柵源電壓 | ±20 V | |
最大漏源電壓 | 30 V | |
最大漏源電阻值 | 0.007 Ω | |
最大連續(xù)漏極電流 | 14 A | |
最高工作溫度 | +150 °C | |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 | |
類別 | 功率 MOSFET | |
通道模式 | 增強(qiáng) | |
通道類型 | N | |
配置 | 四漏極、單 | |
長度 | 4.85mm | |
高度 | 0.62mm |