數(shù)據(jù)列表 | IRF6702M2DTR(1)PBF |
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PCN Obsolescence | (EP) Parts 25/May/2012 |
標(biāo)準(zhǔn)包裝 | 4,800 |
類別 | 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
家庭 | FET - 陣列 |
系列 | HEXFET® |
包裝 | 帶卷 (TR) |
FET 類型 | 2 個(gè) N 溝道(雙) |
FET 功能 | 邏輯電平門 |
漏源極電壓 (Vdss) | 30V |
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時(shí)) | 15A |
不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值) | 6.6 毫歐 @ 15A,10V |
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值) | 2.35V @ 25µA |
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg) | 14nC @ 4.5V |
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss) | 1380pF @ 15V |
功率 - 最大值 | 2.7W |
安裝類型 | 表面貼裝 |
封裝/外殼 | DirectFET? 等容 MA |
供應(yīng)商器件封裝 | DIRECTFET? MA |