IRF6655TRPBF,IRF6655TRPBF|International Rectifier代理分銷-IRF6655TRPBF原裝現(xiàn)貨,PDF下載
PDF查詢| 數(shù)據(jù)列表 | IRF6655(TR)PbF |
|---|---|
| 產(chǎn)品相片 | IRF6706S2TR1PBF |
| 產(chǎn)品培訓(xùn)模塊 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) |
| 產(chǎn)品目錄繪圖 | IR Hexfet Circuit IR Hexfet Circuit |
| 設(shè)計(jì)資源 | IRF6655TR1PBF Saber Model IRF6655TR1PBF Spice Model |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝 | 4,800 |
| 類別 | 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
| 家庭 | FET - 單 |
| 系列 | HEXFET® |
| 包裝 | 帶卷 (TR) |
| FET 類型 | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 功能 | 標(biāo)準(zhǔn) |
| 漏源極電壓 (Vdss) | 100V |
| 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)） | 4.2A （Ta）， 19A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值） | 62 毫歐 @ 5A，10V |
| 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值） | 4.8V @ 25µA |
| 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg) | 11.7nC @ 10V |
| 不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss) | 530pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 2.2W |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼 | DirectFET? 等容 SH |
| 供應(yīng)商器件封裝 | DIRECTFET? SH |
| 產(chǎn)品目錄頁(yè)面 | 1525 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名稱 | IRF6655TRPBFTR |
