數(shù)據(jù)列表 | IRF6648 |
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產(chǎn)品相片 | IRF6614TR1PBF |
產(chǎn)品目錄繪圖 | IR Hexfet Circuit IR Hexfet Circuit |
設(shè)計(jì)資源 | IRF6648TR1 Saber Model IRF6648TR1 Spice Model |
PCN Obsolescence | (PMD) Leaded Parts 25/May/2012 |
標(biāo)準(zhǔn)包裝 | 1,000 |
類別 | 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
家庭 | FET - 單 |
系列 | HEXFET® |
包裝 | 帶卷 (TR) |
FET 類型 | MOSFET N 通道,金屬氧化物 |
FET 功能 | 標(biāo)準(zhǔn) |
漏源極電壓 (Vdss) | 60V |
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時) | 86A (Tc) |
不同?Id、Vgs 時的?Rds On(最大值) | 7 毫歐 @ 17A,10V |
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) | 4.9V @ 150µA |
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg) | 50nC @ 10V |
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss) | 2120pF @ 25V |
功率 - 最大值 | 2.8W |
安裝類型 | 表面貼裝 |
封裝/外殼 | DirectFET? 等容 MN |
供應(yīng)商器件封裝 | DIRECTFET? MN |
其它名稱 | IRF6648TR |