型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 参考单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
查看库存、价格及货期 |
數(shù)據(jù)列表 | IRF6621 |
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產(chǎn)品相片 | IRF6711STR1PBF |
設計資源 | IRF6621 Saber Model IRF6621 Spice Model |
標準包裝 | 4,800 |
類別 | 分立半導體產(chǎn)品 |
家庭 | FET - 單 |
系列 | HEXFET® |
包裝 | 帶卷 (TR) |
FET 類型 | MOSFET N 通道,金屬氧化物 |
FET 功能 | 邏輯電平門 |
漏源極電壓 (Vdss) | 30V |
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時) | 12A (Ta), 55A (Tc) |
不同?Id、Vgs 時的?Rds On(最大值) | 9.1 毫歐 @ 12A,10V |
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) | 2.25V @ 250µA |
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg) | 17.5nC @ 4.5V |
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss) | 1460pF @ 15V |
功率 - 最大值 | 2.2W |
安裝類型 | 表面貼裝 |
封裝/外殼 | DirectFET? 等容 SQ |
供應商器件封裝 | DIRECTFET? SQ |