IRF6620TR1,IRF6620TR1|International Rectifier代理分銷-IRF6620TR1原裝現(xiàn)貨,PDF下載
PDF查詢| 數(shù)據(jù)列表 | IRF6620 |
|---|---|
| 產(chǎn)品相片 | IRF6794MTR1PBF |
| 其它有關(guān)文件 | DirectFET MOSFET 4Ps Checklist |
| 設(shè)計(jì)資源 | IRF6620 Saber Model IRF6620 Spice Model |
| PCN Obsolescence | IRF66xx 22/Oct/2012 |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝 | 1,000 |
| 類別 | 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
| 家庭 | FET - 單 |
| 系列 | HEXFET® |
| 包裝 | 帶卷 (TR) |
| FET 類型 | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 功能 | 邏輯電平門 |
| 漏源極電壓 (Vdss) | 20V |
| 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)） | 27A （Ta）， 150A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值） | 2.7 毫歐 @ 27A，10V |
| 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值） | 2.45V @ 250µA |
| 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg) | 42nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss) | 4130pF @ 10V |
| 功率 - 最大值 | 2.8W |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼 | DirectFET? 等容 MX |
| 供應(yīng)商器件封裝 | DIRECTFET? MX |
