數(shù)據(jù)列表 | IRF6617 |
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產(chǎn)品相片 | IRF6614TR1PBF |
其它有關文件 | DirectFET MOSFET 4Ps Checklist |
設計資源 | IRF6617 Saber Model IRF6617 Spice Model |
PCN Obsolescence | (EP) Parts 25/May/2012 |
標準包裝 | 1,000 |
類別 | 分立半導體產(chǎn)品 |
家庭 | FET - 單 |
系列 | HEXFET® |
包裝 | 帶卷 (TR) |
FET 類型 | MOSFET N 通道,金屬氧化物 |
FET 功能 | 邏輯電平門 |
漏源極電壓 (Vdss) | 30V |
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時) | 14A (Ta), 55A (Tc) |
不同?Id、Vgs 時的?Rds On(最大值) | 8.1 毫歐 @ 15A,10V |
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) | 2.35V @ 250µA |
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg) | 17nC @ 4.5V |
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss) | 1300pF @ 15V |
功率 - 最大值 | 2.1W |
安裝類型 | 表面貼裝 |
封裝/外殼 | DirectFET? 等容 ST |
供應商器件封裝 | DIRECTFET? ST |