IRF6617TR1,IRF6617TR1|International Rectifier代理分銷-IRF6617TR1原裝現(xiàn)貨,PDF下載
PDF查詢| 數(shù)據(jù)列表 | IRF6617 |
|---|---|
| 產(chǎn)品相片 | IRF6614TR1PBF |
| 其它有關文件 | DirectFET MOSFET 4Ps Checklist |
| 設計資源 | IRF6617 Saber Model IRF6617 Spice Model |
| PCN Obsolescence | (EP) Parts 25/May/2012 |
| 標準包裝 | 1,000 |
| 類別 | 分立半導體產(chǎn)品 |
| 家庭 | FET - 單 |
| 系列 | HEXFET® |
| 包裝 | 帶卷 (TR) |
| FET 類型 | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 功能 | 邏輯電平門 |
| 漏源極電壓 (Vdss) | 30V |
| 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時） | 14A （Ta）， 55A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值） | 8.1 毫歐 @ 15A，10V |
| 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值） | 2.35V @ 250µA |
| 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg) | 17nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss) | 1300pF @ 15V |
| 功率 - 最大值 | 2.1W |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼 | DirectFET? 等容 ST |
| 供應商器件封裝 | DIRECTFET? ST |
