IRF6614TRPBF,IRF6614TRPBF|International Rectifier代理分銷-IRF6614TRPBF原裝現(xiàn)貨,PDF下載
| 型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 参考单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| 查看库存、价格及货期 | |||||||
PDF查詢| 數(shù)據(jù)列表 | IRF6614(TR)PbF |
|---|---|
| 產品相片 | IRF6614TR1PBF |
| 產品培訓模塊 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) |
| 產品目錄繪圖 | IR Hexfet Circuit IR Hexfet Circuit |
| 設計資源 | IRF6614 Saber Model IRF6614 Spice Model |
| 標準包裝 | 4,800 |
| 類別 | 分立半導體產品 |
| 家庭 | FET - 單 |
| 系列 | HEXFET® |
| 包裝 | 帶卷 (TR) |
| FET 類型 | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 功能 | 邏輯電平門 |
| 漏源極電壓 (Vdss) | 40V |
| 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時） | 12.7A （Ta）， 55A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值） | 8.3 毫歐 @ 12.7A，10V |
| 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值） | 2.25V @ 250µA |
| 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg) | 29nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss) | 2560pF @ 20V |
| 功率 - 最大值 | 2.1W |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼 | DirectFET? 等容 ST |
| 供應商器件封裝 | DIRECTFET? ST |
| 其它名稱 | IRF6614TRPBFTR |
