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IRF6216TRPBF,IRF6216TRPBF|International Rectifier代理分銷(xiāo)-IRF6216TRPBF原裝現(xiàn)貨,PDF下載
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MOSFET P-CH 150V 2.2A 8-SOIC

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Single P-Channel 150 V 240 mOhm 33 nC HEXFET? Power Mosfet - SOIC-8

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Single P-Channel 150 V 240 mOhm 33 nC HEXFET? Power Mosfet - SOIC-8

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Single P-Channel 150 V 240 mOhm 33 nC HEXFET? Power Mosfet - SOIC-8

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MOSFET, Power, P-Ch, VDSS -150V, RDS(ON) 0.24Ohm, ID -2.2A, SO-8, PD 2.5W, VGS +/-20V

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IRF6216TRPBF|International Rectifier
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IRF6216TRPBF
制造商型號(hào)： IRF6216TRPBF
制造商： International Rectifier
描述： MOSFET P-CH 150V 2.2A 8-SOIC
技術(shù)參考： Rohs PDF查詢(xún)
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產(chǎn)品信息
數(shù)據(jù)列表 IRF6216PbF
產(chǎn)品相片 8-SOIC
產(chǎn)品培訓(xùn)模塊 High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
設(shè)計(jì)資源 IRF6216PBF Saber Model
IRF6216PBF Spice Model
標(biāo)準(zhǔn)包裝  4,000
類(lèi)別分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭FET - 單
系列HEXFET®
包裝  帶卷 (TR)  
FET 類(lèi)型MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 功能標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓 (Vdss)150V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)）2.2A （Ta）
不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）240 毫歐 @ 1.3A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）5V @ 250µA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)49nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)1280pF @ 25V
功率 - 最大值2.5W
安裝類(lèi)型表面貼裝
封裝/外殼8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應(yīng)商器件封裝8-SO
其它名稱(chēng)IRF6216TRPBF-ND
IRF6216TRPBFTR

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