數(shù)據(jù)列表 | IRF5852 |
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產(chǎn)品相片 | IRF5800TRPBF |
設(shè)計(jì)資源 | IRF5852TR Saber Model IRF5852TR Spice Model |
標(biāo)準(zhǔn)包裝 | 3,000 |
類別 | 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
家庭 | FET - 陣列 |
系列 | HEXFET® |
包裝 | 帶卷 (TR) |
FET 類型 | 2 個 N 溝道(雙) |
FET 功能 | 邏輯電平門 |
漏源極電壓 (Vdss) | 20V |
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時) | 2.7A |
不同?Id、Vgs 時的?Rds On(最大值) | 90 毫歐 @ 2.7A,4.5V |
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) | 1.25V @ 250µA |
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg) | 6nC @ 4.5V |
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss) | 400pF @ 15V |
功率 - 最大值 | 960mW |
安裝類型 | 表面貼裝 |
封裝/外殼 | 6-TSOP(0.059",1.50mm 寬) |
供應(yīng)商器件封裝 | Micro6?(TSOP-6) |