典型關(guān)斷延遲時間 | 15(N 溝道)ns,31(P 溝道)ns | |
典型接通延遲時間 | 6.6(N 溝道)ns,8.3(P 溝道)ns | |
典型柵極電荷@Vgs | 3.6 nC @ 4.5 V(P 溝道),4 nC @ 4.5 V(N 溝道) | |
典型輸入電容值@Vds | 320 pF @ 15 V(P 溝道),400 pF @ 15 V(N 溝道) | |
安裝類型 | 表面貼裝 | |
寬度 | 1.5mm | |
封裝類型 | TSOP | |
尺寸 | 3 x 1.5 x 0.9mm | |
引腳數(shù)目 | 6 | |
最低工作溫度 | -55 °C | |
最大功率耗散 | 0.96 W | |
最大柵源電壓 | ±12 V | |
最大漏源電壓 | 20 V | |
最大漏源電阻值 | 0.09(N 溝道)Ω,0.135(P 溝道)Ω | |
最大連續(xù)漏極電流 | 2.2(P 溝道)A,2.7(N 溝道)A | |
最高工作溫度 | +150 °C | |
每片芯片元件數(shù)目 | 2 | |
類別 | 功率 MOSFET | |
通道模式 | 增強(qiáng) | |
通道類型 | N,P | |
配置 | 雙 | |
長度 | 3mm | |
高度 | 0.9mm |