IRF5810TR,IRF5810TR|International Rectifier代理分銷-IRF5810TR原裝現貨,PDF下載
PDF查詢| 數據列表 | IRF5810 |
|---|---|
| 產品相片 | IRF5800TRPBF |
| 設計資源 | IRF5810TR Saber Model IRF5810TR Spice Model |
| 標準包裝 | 3,000 |
| 類別 | 分立半導體產品 |
| 家庭 | FET - 陣列 |
| 系列 | HEXFET® |
| 包裝 | 帶卷 (TR) |
| FET 類型 | 2 個 P 溝道（雙） |
| FET 功能 | 邏輯電平門 |
| 漏源極電壓 (Vdss) | 20V |
| 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時） | 2.9A |
| 不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值） | 90 毫歐 @ 2.9A，4.5V |
| 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值） | 1.2V @ 250µA |
| 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg) | 9.6nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss) | 650pF @ 16V |
| 功率 - 最大值 | 960mW |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼 | 6-TSOP（0.059"，1.50mm 寬） |
| 供應商器件封裝 | Micro6?（TSOP-6） |
