數(shù)據(jù)列表 | IRF5800PbF |
---|---|
產(chǎn)品相片 | IRF5800TRPBF |
設(shè)計(jì)資源 | IRF5800 Saber Model IRF5800 Spice Model |
PCN Obsolescence | Gen 8 Rev2 08/Jul/2011 |
標(biāo)準(zhǔn)包裝 | 3,000 |
類(lèi)別 | 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
家庭 | FET - 單 |
系列 | HEXFET® |
包裝 | 帶卷 (TR) |
FET 類(lèi)型 | MOSFET P 通道,金屬氧化物 |
FET 功能 | 邏輯電平門(mén) |
漏源極電壓 (Vdss) | 30V |
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時(shí)) | 4A (Ta) |
不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值) | 85 毫歐 @ 4A,10V |
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA |
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg) | 17nC @ 10V |
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss) | 535pF @ 25V |
功率 - 最大值 | 2W |
安裝類(lèi)型 | 表面貼裝 |
封裝/外殼 | 6-TSOP(0.059",1.50mm 寬) |
供應(yīng)商器件封裝 | Micro6?(TSOP-6) |
其它名稱(chēng) | IRF5800TRPBF-ND IRF5800TRPBFTR |