型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRF3710SPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRF3710STRLPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET MOSFT 100V 57A 23mOhm 86.7nC RoHS: Compliant | 搜索 |
IRF3710STRRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 23mOhms 86.7nC RoHS: Compliant | 搜索 |
IRF3710SPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 23mOhms 86.7nC RoHS: Compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRF3710SPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube RoHS: Compliant | 搜索 |
IRF3710SPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 |
IRF3710SPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRF3710SPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 100V 57A 3-Pin(2+Tab) D2PAK - Rail/Tube (Alt: IRF3710SPBF) RoHS: Compliant | 搜索 |
IRF3710SPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 100V 57A 3-Pin(2+Tab) D2PAK (Alt: IRF3710SPBF) RoHS: Compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRF3710SPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
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IRF3710SPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
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型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRF3710SPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Single N-Channel 100 V 23 mOhm 130 nC HEXFET? Power Mosfet - D2PAK RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRF3710SPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET, Power, N-Ch, VDSS 100V, RDS(ON) 23 Milliohms, ID 57A, D2Pak, PD 200W, VGS +/-20 RoHS: Compliant | 搜索 查看资料 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRF3710SPBF [更多] | International Rectifier | MOSFET Operating temperature: -55...+175 °C Housing type: D2PAK Polarity: N Power dissipation: 38 W
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型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRF3710SPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Transistor: N-MOSFET, unipolar, 100V, 57A, 200W, D2PAK, HEXFET?
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型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 参考单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
查看库存、价格及货期 |
典型關(guān)斷延遲時(shí)間 | 45 ns | |
典型接通延遲時(shí)間 | 12 ns | |
典型柵極電荷@Vgs | 130 nC V @ 10 | |
典型輸入電容值@Vds | 3130 pF V @ 25 | |
安裝類型 | 表面貼裝 | |
寬度 | 9.65mm | |
封裝類型 | D2PAK | |
尺寸 | 10.67 x 9.65 x 4.83mm | |
引腳數(shù)目 | 3 | |
最低工作溫度 | -55 °C | |
最大功率耗散 | 200 W | |
最大柵源電壓 | ±20 V | |
最大漏源電壓 | 100 V | |
最大漏源電阻值 | 0.023 Ω | |
最大連續(xù)漏極電流 | 57 A | |
最高工作溫度 | +175 °C | |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 | |
類別 | 功率 MOSFET | |
通道模式 | 增強(qiáng) | |
通道類型 | N | |
配置 | 單 | |
長度 | 10.67mm | |
高度 | 4.83mm |