型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRF3709SPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET N-CH 30V 90A D2PAK RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRF3709SPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 9mOhms 27nC RoHS: Compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRF3709SPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRF3709SPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK (Alt: IRF3709SPBF) RoHS: Compliant | 搜索 |
IRF3709SPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK - Rail/Tube (Alt: IRF3709SPBF) RoHS: Compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRF3709SPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
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型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRF3709SPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube RoHS: Compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRF3709SPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Single N-Channel 30 V 9 mOhm 27 nC HEXFET? Power Mosfet - D2PAK RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRF3709SPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET, Power, N-Ch, VDSS 30V, RDS(ON) 6.4Milliohms, ID 90A, D2Pak, PD 120W, VGS +/-20 RoHS: Compliant | 搜索 查看资料 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRF3709SPBF [更多] | International Rectifier |
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型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRF3709SPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Transistor: N-MOSFET, unipolar, 30V, 90A, 120W, D2PAK, HEXFET?
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型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 参考单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
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参考图片 | 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 | 操作 | |
![]() | Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 90A D2PAK 详细描述:表面贴装 N 沟道 90A(Tc) 3.1W(Ta),120W(Tc) D2PAK 型号:IRF3709SPBF 仓库库存编号:IRF3709SPBF-ND 别名:*IRF3709SPBF SP001571378 | 无铅 | 搜索 |
制造商产品编号 | 仓库库存编号 | 制造商 / 说明 / 规格书 | 操作 |
IRF3709SPBF![]() | 2565829 | INTERNATIONAL RECTIFIER 场效应管, N 通道, MOSFET, 30V, 90A, D2-PAK | 查看其他仓库 |
數(shù)據(jù)列表 | IRF3709(S,L)PbF |
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產(chǎn)品相片 | TO-263 |
產(chǎn)品培訓(xùn)模塊 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) |
標(biāo)準(zhǔn)包裝 | 50 |
類別 | 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
家庭 | FET - 單 |
系列 | HEXFET® |
包裝 | 管件 |
FET 類型 | MOSFET N 通道,金屬氧化物 |
FET 功能 | 邏輯電平門 |
漏源極電壓 (Vdss) | 30V |
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時) | 90A (Tc) |
不同?Id、Vgs 時的?Rds On(最大值) | 9 毫歐 @ 15A,10V |
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg) | 41nC @ 5V |
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss) | 2672pF @ 16V |
功率 - 最大值 | 3.1W |
安裝類型 | 表面貼裝 |
封裝/外殼 | TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB |
供應(yīng)商器件封裝 | D2PAK |
其它名稱 | *IRF3709SPBF |